Fosfur d'indi
  | |
| Substància química | tipus d'entitat química |
|---|---|
| Massa molecular | 145,878 Da |
| Rol | cancerigen |
| Estructura química | |
| Fórmula química | InP |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
| Cristal·lografia | |
| Sistema cristal·lí | sistema cristal·lí cúbic |
El fosfur d'indi (amb fórmula química InP) és un semiconductor binari format per indi i fòsfor. Té una estructura cristal·lina cúbica ("zincblenda") centrada en les cares, idèntica a la del GaAs i la majoria dels semiconductors III-V. El fosfur d'indi es pot preparar a partir de la reacció de fòsfor blanc i iodur d'indi a 400 °C.,[1] també per combinació directa dels elements purificats a alta temperatura i pressió, o per descomposició tèrmica d'una barreja d'un compost trialquil indi i fosfina.[2]
.jpg)
InP s'utilitza en electrònica d'alta potència i alta freqüència a causa de la seva velocitat d'electrons superior respecte als semiconductors més comuns de silici i arsenur de gal·li.[3]
Es va utilitzar amb arsenur d'indi gal·li per fer un transistor bipolar d'heterounió pseudomòrfica que bat el rècord que podria funcionar a 604 GHz.[4]
També té un bandgap directe, el que el fa útil per a dispositius optoelectrònics com els díodes làser. L'empresa Infinera utilitza fosfur d'indi com el seu principal material tecnològic per a la fabricació de circuits integrats fotònics per a la indústria de les telecomunicacions òptiques, per permetre aplicacions de multiplexació per divisió de longitud d'ona.[5]
Referències
[modifica]- ↑ Indium Phosphide at HSDB
- ↑ InP manufacture
- ↑ «Indium Phosphide Substrates for research and productions» (en anglès). https://www.universitywafer.com,+01-10-2018.+[Consulta: 22 setembre 2022].
- ↑ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier.
- ↑ The Light Brigade Arxivat 2011-06-07 a Wayback Machine. appeared in Red Herring in 2002.