Arsenid gallitý
| Arsenid gallitý | |
|---|---|
 Základní buňka GaAs | |
| Obecné | |
| Systematický název | Arsenid gallitý |
| Sumární vzorec | GaAs |
| Vzhled | šedé krychlové krystaly |
| Identifikace | |
| Registrační číslo CAS | 1303-00-0 |
| Vlastnosti | |
| Molární hmotnost | 144,645 g/mol |
| Teplota tání | 1 238 °C (1 511 K) |
| Teplota varu | 290 °C (1 013 hPa, 100% kyselina) 310–335 °C (1 013 hPa, 98% kyselina) |
| Rozpustnost ve vodě | < 0,1 g/100 cm3 |
Některá data mohou pocházet z datové položky. | |
Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič typu III-V,[1] používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků.
Příprava a chemické vlastnosti
[editovat | editovat zdroj]Arsenid gallitý lze připravit syntézou z prvků, čehož se v průmyslu často využívá.[2]
- pěstování krystalu v horizontální peci (Bridgman–Stockbargerova metoda), kdy páry gallia a arsenu reagují a deponují se na povrchu zárodečného krystalu v chladnější části pece
- LEC metoda (Czochralski)
Teoreticky je možné připravit arsenid gallitý také reakcí arsanu a gallia:
- 2 AsH3 + 2 Ga → 2 GaAs + 3 H2
Alternativní metody výroby GaAs jsou:[2][3]
- reakce plynného gallia a chloridu arsenitého:
- 2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2
- MOCVD reakce trimethylgallia a arsanu:[1]
- Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4
Oxidace GaAs probíhá již na vzduchu, tím dochází ke zhoršení vlastností polovodiče. Povrch lze pasivovat depozicí kubického sulfidu gallnatého pomocí organosulfidů gallia.[4]
Odkazy
[editovat | editovat zdroj]Reference
[editovat | editovat zdroj]- ↑ a b HOUSECROFT, Catherine E.; SHARPE, Alan G. Anorganická chemie. 1. vyd. Praha: VŠCHT, 2014. 1152 s. ISBN 978-80-7080-872-6. S. 1021–1023.
- ↑ a b S. J. Moss, A. Ledwith (1987) The Chemistry of the Semiconductor Industry, Springer, ISBN 0-216-92005-1
- ↑ Lesley Smart, Elaine A. Moore, (2005), Solid State Chemistry: An Introduction ,CRC, ISBN 0-7487-7516-1
- ↑ Chemical vapor deposition from single organometallic precursors, A. R. Barron, M. B. Power, A. N. MacInnes, A. F.Hepp, P. P. Jenkins, US Patent 5300320 (1994)
Literatura
[editovat | editovat zdroj]- N. N. Greenwood – A. Earnshaw, Chemie prvků 1. díl, 1. vydání 1993 ISBN 80-85427-38-9
Externí odkazy
[editovat | editovat zdroj]
Obrázky, zvuky či videa k tématu Arsenid gallitý na Wikimedia Commons - Vlastnosti komerčně dodávaného GaAs Archivováno 22. 5. 2010 na Wayback Machine.
V tomto článku byl použit překlad textu z článku Gallium(III) arsenide na anglické Wikipedii.
