عملية 10 ميكرومتر

يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. فضلاً، ساهم في تطوير هذه المقالة من خلال إضافة مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016)

تصنيع عناصر أشباه الموصلات
مقاييس الموسفت (قائمة المقاييس [الإنجليزية]) 10 ميكرومتر – 1971 6 ميكرومتر [الإنجليزية] - 1974 3 ميكرومتر – 1977 1.5 ميكرومتر – 1981 1 ميكرومتر – 1984 800 نانومتر – 1987 600 نانومتر – 1990 350 نانومتر – 1993 250 نانومتر – 1996 180 نانومتر [الإنجليزية] - 1999 130 نانومتر [الإنجليزية] - 2001 90 نانومتر [الإنجليزية] - 2003 65 نانومتر [الإنجليزية] - 2005 45 نانومتر [الإنجليزية] - 2007 32 نانومتر [الإنجليزية] - 2009 22 نانومتر [الإنجليزية] - 2012 14 نانومتر [الإنجليزية] - 2014 10 نانومتر [الإنجليزية] - 2016 7 نانومتر [الإنجليزية] - 2018 مستقبلية 5 نانومتر - 2020 3 نانومتر [الإنجليزية] - ~2021
عدد الترانزستورات [الإنجليزية] سيموس العناصر (متعدد البوابات) قانون مور أشباه الموصلات إلكترونيات نانوية
بوابة إلكترونيات

عملية 10 ميكرومتر

عملية 10 ميكرومتر (بالإنجليزية: 10 µm process)‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1971 و1972 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل.

• وقد صنعت وحدة المعالجة المركزية إنتل 4004 والتي أطلقت في عام 1971 باستخدام هذه العملية.
• وقد صنعت وحدة المعالجة المركزية إنتل 8008 والتي أطلقت في عام 1972 باستخدام هذه العملية.

• تصنيع أجهزة أشباه الموصلات

هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.