Puolijohde

Tämän artikkelin tai sen osan paikkansapitävyys on kyseenalaistettu. Voit auttaa varmistamaan, että kyseenalaistetut väittämät ovat luotettavasti lähteistettyjä. Lisää tietoa saattaa olla keskustelusivulla.

Tähän artikkeliin tai osioon ei ole merkitty lähteitä, joten tiedot kannattaa tarkistaa muista tietolähteistä. Voit auttaa Wikipediaa lisäämällä artikkeliin tarkistettavissa olevia lähteitä ja merkitsemällä ne ohjeen mukaan.

Puolijohde on materiaali, joka johtaa sähköä paremmin kuin eriste, mutta huonommin kuin metallit.^[1] Se on materiaali, jonka valenssivyön ja johtavuusvyön välinen energiaero (noin 1 eV)^[2] on huomattavasti pienempi kuin eristeillä, mikä helpottaa elektronin siirtymistä vyöltä toiselle.^[3]

Puolijohteita ovat puolimetalleiksi luokitellut alkuaineet ja useat niitä sisältävät yhdisteet. Teknisesti tärkeimmät puolijohteet ovat pii, germanium sekä jaksollisen järjestelmän III ja V ryhmien alkuaineiden yhdisteet (III-V-puolijohteet), kuten galliumarsenidi.

Varhainen puolijohteiden käyttö oli Jagadis Chandra Bosen vuonna 1901 patentoima "kissanviiksi" tasasuuntaaja radiosignaalien ilmaisemiseen kidekoneessa^[4][5]. Kesti kuitenkin pitkään ennen kuin tyydyttävä selitys ilmiölle saatiin.^[6]

Puolijohteet ovat nykyaikaisen elektroniikan perusta. Puolijohdekomponenteilla on joukko hyödyllisiä ominaisuuksia, kuten sähkövirran päästäminen läpi helpommin toiseen suuntaan, muutettavissa oleva virranvastus ja mahdollisuus vaikuttaa niiden ominaisuuksiin valolla ja lämmöllä. Koska puolijohdemateriaalien sähköisiä ominaisuuksia voidaan muuttaa lisäämällä joukkoon sopivia määriä epäpuhtauksia tai sähkökentällä tai valolla, puolijohdekomponentteja voidaan käyttää vahvistimissa, kytkimissä ja energian muuntimissa.

Osa puolijohteiden ominaisuuksista havaittiin jo 1800-luvun loppupuoliskolla. Löydökset kvanttifysiikassa puolestaan kulminoituivat transistorin keksimiseen 1947.

Puolijohteiden ominaisuuksien nykyinen ymmärrys turvautuu kvanttifysiikkaan, selittääkseen elektronien ja aukkojen liikkeen kiderakenteessa. Lisääntynyt ymmärrys puolijohdemateriaaleista ja valmistustavoista on mahdollistanut mikroprosessoreiden ja muistien nopeuden ja monimutkaisuuden jatkuvan kasvattamisen.

Kiinteässä aineessa elektronit voivat olla joko valenssivyöllä tai johtavuusvyöllä. Näiden välissä on niin sanottu kielletty energiavyö, jossa elektronit eivät voi olla. Sähkövirran kuljetukseen osallistuvat vain elektronit, jotka ovat vajaasti täytetyllä vyöllä. Jos valenssivyö on täynnä, virtaa kuljettavat vain johtavuusvyöllä olevat elektronit.

Puolijohteessa johtavuusvyö kylmässä on tyhjä, joten matalissa lämpötiloissa puolijohde toimii eristeenä, mutta huoneenlämmössä lämpövärähtelyt nostavat elektroneja valenssivyöstä johtavuusvyöhön ja puolijohde toimii johteena.

Puolijohteen sähkönjohtavuutta voidaan muuttaa lisäämällä siihen epäpuhtauksia douppauksella.^[3] Nämä epäpuhtaudet lisäävät joko elektronien (elektronien ylimäärää) tai elektroniaukkojen (elektronien vajausta) määrää. Näitä kutsutaan n- ja p-tyypeiksi.

Kielletty energiavyö^[7] (engl. band gap) viittaa energiaeroon, joka tarvitaan jotta aineesta tulee sähköä johtavaa ja sallii elektronien kulkea läpi.^[8][9] Ääripäissä johtavilla aineilla ei ole eroa, kun taas eristeillä ero on mahdoton ylittää.^[8] Puolijohteilla on pieni ero välissä, joka on mahdollista ylittää kun tarpeeksi energiaa käytetään.^[8]

N-tyyppisiä puolijohteita saadaan seostamalla rakenteeseen atomeja (esimerkiksi arseenia, As), joilla on enemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin ylimääräiset elektronit voivat johtaa sähköä.

P-tyyppinen puolijohde saadaan lisäämällä rakenteeseen atomeja (esimerkiksi booria, B), jolla on vähemmän valenssielektroneja kuin isäntäatomeilla (tässä Si). Tällöin muodostuvat positiiviset aukot toimivat varauksenkuljettajina. Piissä aukoilla on varauksenkuljettajina huonompi liikkuvuus kuin elektroneilla.

Yhdistepuolijohteet ovat kahden tai useamman alkuaineen yhdisteitä, jotka yhdessä toimivat puolijohteena. Niitä käytetään usein LEDeissä, koska niillä on mahdollista tuottaa ihmissilmälle näkyvän valon aallonpituuksia. Joistakin yhdistelmäpuolijohteista pystyy valmistamaan pii- ja germaniumpuolijohteita nopeampia transistoreita. Esimerkiksi galliumarsenidi, galliumarsenidifosfidi, galliumfosfidi, galliumantimonidi, indiumarsenidi, indiumfosfidi ja indiumantimonidi ovat yhdistepuolijohteita.

Galliumnitridi (GaN) ja galliumarsenidi (GaAs) -puolijohteita käytetään korkean energian laitteissa kuten tutkajärjestelmissä.^[8] Galliumarsenidilla on normaalilämpötiloissa korkeampi kielletty energiavyö kuin piillä, mikä on merkittävää tietyissä sovelluskohteissa, koska se voi käsitellä korkeampaa energiaa ja silti toimia eristeenä.^[8]

Piikarbidiyhdistettä tutkitaan optisen sirun materiaalina sen parempien lämpö-, sähkö- ja mekaanisien ominaisuuksien johdosta.^[10]

Puolijohdekomponentteja ovat: diodi, LED (valodiodi), transistori, tyristori, mikropiiri, diac, triac, aurinkokenno

• Puolijohdeteollisuus
• Piikiekko

• Kuvia tai muita tiedostoja aiheesta Puolijohde Wikimedia Commonsissa

Tämä artikkeli tai sen osa on käännetty tai siihen on haettu tietoja muunkielisen Wikipedian artikkelista.
Alkuperäinen artikkeli: en:Semiconductor