இண்டியம் ஆர்சினைடு ஆண்டிமோணைடு பாசுபைடு
இண்டியம் ஆர்சினைடு ஆண்டிமோனைடு பாசுபைடு (Indium arsenide antimonide phosphide) என்பது InAsSbP என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடால் விவரிக்கப்படும் ஒரு குறைக்கடத்தி வேதிப்பொருளாகும்.
InAsSbP குறைக்கடத்தி சீரொளி கட்டமைப்புகளுக்கான தடுப்பு அடுக்குகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.[1]
InAsSbP அடுக்குகளை இண்டியம் ஆர்சனைடு, காலியம் ஆண்டிமோனைடு மற்றும் பிற பொருட்களின் மீது பல்லின நோக்குநிலையில் தூண்டப்பட்ட படிகவளர்ச்சி மூலம் வளர்க்கலாம்.[2] இவ்வுலோகக் கலவையின் அதிர்வு பண்புகள் இராமன் நிறமாலையியல் மூலம் ஆராயப்பட்டது. ஒளி மின்னணுவியல், இயந்திரவியல் பண்புகள், ஒலி அல்லது அதிர்வு ஆற்றலின் குவாண்டப் பண்புகள் மீதான அழுத்தத்தின் விளைவை ஆய்வு செய்யும் கோட்பாடுகளுக்கு இவ்வுலோகக் கலவை பயன்படுகிறது.[3]
இவற்றையும் காண்க[தொகு]
மேற்கோள்கள்[தொகு]
- ↑ Calculation of spatial intensity distribution of InAsSb/InAsSbP laser diode emission, L. I. Burov, A. S. Gorbatsevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, A. N. Imenkov and Yu. P. Yakovlev, Journal of Applied Spectroscopy, vol. 75 num. 6 805-809 எஆசு:10.1007/s10812-009-9128-8
- ↑ Raman scattering in InAsxSbyP1−x−y alloys grown by gas source MBE, K. J. Cheetham, A. Krier, I. I. Patel, F. L. Martin, J-S. Tzeng, C-J. Wu and H-H. Lin, J. Phys. D: Appl. Phys. vol. 44 num. 8 எஆசு:10.1088/0022-3727/44/8/085405
- ↑ Degheidy, A. R.; AbuAli, A. M.; Elkenany, Elkenany. B. (2021-05-18). "Phonon frequencies, mechanical and optoelectronic properties for $${\mathbf{InP}}_{{\mathbf{x}}} {\mathbf{As}}_{{\mathbf{y}}} {\mathbf{Sb}}_{{1 - {\mathbf{x}} - {\mathbf{y}}}}$$/In As alloys under the influence of pressure". Applied Physics A 127 (6): 429. doi:10.1007/s00339-021-04551-4.