Borphosphid
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| Kristallstruktur | ||||||||||||||||
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| _ B3+ _ P3− | ||||||||||||||||
| Kristallsystem | Zinkblende | |||||||||||||||
| Raumgruppe | F43m (Nr. 216)[1] | |||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Borphosphid | |||||||||||||||
| Verhältnisformel | BP | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung | farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle[2] | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
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| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 41,78 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand | fest[1] | |||||||||||||||
| Schmelzpunkt | 1227 °C (Zersetzung)[1] | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | ||||||||||||||||
Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.[4][5]
Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.[6]
Eigenschaften[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.[7] Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.[2]
Verwendung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.[8]
Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
- ↑ a b c Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ a b L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116.
- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.
- ↑ H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113. Jahrgang, 1891, S. 726–729 (bnf.fr).
- ↑ K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
- ↑ O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86.
- ↑ Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.