Spin-Transistor

Der Spin-Transistor, abgekürzt Spin-FET, stellt eine Gruppe von speziellen Feldeffekttransistoren (FET) dar, welche die quantenmechanische Eigenschaft des Spin von Elektronen im Rahmen des Rashba-Effektes nutzen. Herkömmliche Feldeffekttransistoren, welche Bauelemente der Elektronik sind, verwenden nur die elektrische Ladung zur Informationsspeicherung und zur Verstärkung von elektrischen Signalen.

Spin-Transistoren werden der Spintronik, einen Zweig der Nanotechnologie, zugeordnet und dienen in den bisher bestehenden Anwendungen zur nicht flüchtigen Informationsspeicherung in speziellen Speichern wie den magnetoresistiven Random Access Memory (MRAM).

Erste Arbeiten zu Spin-Transistoren erfolgten in den 1990er Jahren an den Bell Laboratories.^[1] Spin-Transistoren sind im Grundlagensektor der Halbleitertechnologie Teil von verschiedenen Forschungsprojekten,^[2][3] konnten sich aber bisher nicht in wirtschaftlich bedeutenden Anwendungen durchsetzen.

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

1. ↑ Patent US5432373A: Magnetic spin transistor. Angemeldet am 29. November 1994, veröffentlicht am 11. Juli 1995, Anmelder: Bell Communication Res, Erfinder: Mark B. Johnson.‌
2. ↑ K. C. Hall, Wayne H. Lau, K. Gündoğdu, Michael E. Flatté, Thomas F. Boggess: Nonmagnetic semiconductor spin transistor. In: Applied Physics Letters. Band 83, Nr. 14, 6. Oktober 2003, S. 2937–2939, doi:10.1063/1.1609656. 
3. ↑ Patent US6218718B1: Spin transistor. Angemeldet am 2. August 1999, veröffentlicht am 17. April 2001, Anmelder: ISIS Innovation, Erfinder: John Francis Gregg, Patricia Dresel Sparks.‌