グラフェン電界効果トランジスタ
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グラフェン電界効果トランジスタ（グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET）は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。
概要[編集]
構造は通常の電界効果トランジスタと似ているがグラフェンをドレイン・ソース間に流れる電流が通過する領域(チャネル)として利用する[1]。グラフェンのキャリア移動度は室温下で従来の半導体のシリコンの約100倍の200,000 cm2/Vs以上で高速で切り替えが可能[1][2]。
用途[編集]
高周波スイッチング素子や増幅素子としてだけでなく、センサーの探針としての用途も想定される[3]。
脚注[編集]
- ^ a b “グラフェン”. 2019年1月24日閲覧。
- ^ Bolotin, Kirill I., et al. "Ultrahigh electron mobility in suspended graphene." Solid State Communications 146.9-10 (2008): 351-355.
- ^ “Graphene-based neural probes probe brain activity in high resolution”. Science X network (2017年3月27日). 2019年1月24日閲覧。
参考文献[編集]
- Lemme, Max C., et al. "A graphene field-effect device." IEEE Electron Device Letters 28.4 (2007): 282-284.
- Meric, Inanc, et al. "Current saturation in zero-bandgap, top-gated graphene field-effect transistors." Nature nanotechnology 3.11 (2008): 654.
- Wang, Xinran, et al. "Room-temperature all-semiconducting sub-10-nm graphene nanoribbon field-effect transistors." Physical review letters 100.20 (2008): 206803.
- Schwierz, Frank. "Graphene transistors." Nature nanotechnology 5.7 (2010): 487.
- Vicarelli, L., et al. "Graphene field-effect transistors as room-temperature terahertz detectors." Nature materials 11.10 (2012): 865.
